99,99995 % de triméthylgallium 1445-79-0

Triméthylgallium

Triméthylgallium (TMG) C'est un liquide pyrophorique clair et incolore qui s'enflamme spontanément au contact de l'air. Le TMG est connu pour réagir violemment avec l'eau et d'autres composés capables de donner de l'hydrogène labile ou actif (c'est-à-dire des protons).

Le TMG doit être manipulé avec une extrême prudence. Il doit être conservé dans un endroit frais et sec, à une température comprise entre 0 et 25 °C, sous atmosphère inerte. La température de stockage ne doit pas dépasser 40 °C pour éviter toute détérioration.

Spécification d'entreprise de 99,99995 % de triméthylgallium - Faible teneur en silicium (6N5 TMGa-Low Si)

Note:

Valeur supérieure à ppm en poids sur métal, et ND = non détecté

Méthode d'analyse : ICP-MS

Résultats FT-RMN (LOD pour les impuretés organiques et oxygénées FT-RMN est de 0,1 ppm)

Garantie d'oxygène <0,5 ppm (mesuré en FT-RMN)

1. Aucune impureté organique détectée

2. Aucune impureté oxygénée détectée

À quoi sert le triméthylgallium ?

Le triméthylgallium (Ga(CH3)₃), également abrégé en TMG ou TMGa, est la source organométallique de gallium privilégiée pour l'épitaxie en phase vapeur organométallique (EPVO) dans la synthèse de semi-conducteurs composés contenant du gallium, notamment GaAs, GaN, GaP, GaSb, InGaAs, InGaN, AlGaInP, InGaP, AlInGaNP et Ga2O3. Ces sources organométalliques sont utilisées pour la préparation de divers semi-conducteurs composés contenant du gallium, tels que :

- L'arséniure de gallium (GaAs), largement utilisé dans les applications spatiales et comme matériau pour les diodes électroluminescentes bleues (LED) à base de nitrure de gallium (GaN).

- Le phosphure de gallium (GaP) et l'antimoniure de gallium (GaSb), qui jouent un rôle essentiel dans la fabrication de dispositifs optoélectroniques.

Sulfure de cuivre, d'indium et de gallium (CIGS) et séléniure de cuivre, d'indium et de gallium, utilisés dans la fabrication de panneaux solaires à haut rendement.

De plus, le TMG est utilisé dans la préparation de films minces de matériaux semi-conducteurs à base de gallium, tels que les films minces de GaAs, GaN et GaP, qui sont des composants essentiels dans les applications de microélectronique et de dispositifs à grande vitesse.