99,9999 % de triméthylalumane (TMAI) 75-24-1

Triméthylalumane (TMAI)

Triméthylaluminium (TMAl), en tant que source organométallique (OM), est largement utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs et sert de précurseur essentiel pour le dépôt par couche atomique (ALD), le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et le dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD). Il est utilisé pour préparer des films contenant de l'aluminium de haute pureté, tels que l'oxyde et le nitrure d'aluminium. De plus, le TMAl trouve de nombreuses applications comme catalyseur et agent auxiliaire dans les réactions de synthèse organique et de polymérisation.

Le triméthylaluminium (TMAI) est un précurseur du dépôt d'oxyde d'aluminium et un catalyseur Ziegler-Natta. C'est également le précurseur d'aluminium le plus couramment utilisé dans la production d'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOVPE). De plus, le TMAI sert d'agent de méthylation et est fréquemment libéré par les fusées-sondes comme traceur pour l'étude des régimes de vents dans la haute atmosphère.

Spécification d'entreprise de 99,9999 % de triméthylaluminium - Faible teneur en silicium et faible teneur en oxygène (6N TAMI-Low Si et Low Ox)

Note:

Valeur PPM en poids sur métal, et ND = non détecté

Méthode d'analyse : ICP-OES/ICP-MS

Résultats FT-RMN (LOD pour les impuretés organiques et oxygénées FT-RMN est de 0,1 ppm) :

Garantie d'oxygène <0,2 ppm (mesuré en FT-RMN)

1. Aucune impureté organique détectée

2. Aucune impureté oxygénée détectée

À quoi sert le triméthylaluminium (TMAI) ?

Applications de la catalyse :

Depuis l'invention de la catalyse Ziegler-Natta, les composés organoaluminiques jouent un rôle essentiel dans la production de polyoléfines, notamment le polyéthylène et le polypropylène. Le méthylaluminoxane (MAO), dérivé du triméthylaluminium (TMA), sert d'activateur pour de nombreux catalyseurs à base de métaux de transition dans les procédés de polymérisation.

Applications des semi-conducteurs :

Le triméthylaluminium (TMA) est largement utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs pour le dépôt de couches minces de diélectriques à haute constante diélectrique, tels que l'oxyde d'aluminium (Al₂O₃), par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou par dépôt de couches atomiques (ALD). Dans l'industrie des semi-conducteurs, le TMA de haute pureté sert de précurseur d'aluminium dans les procédés ALD ou CVD pour générer des couches minces d'Al₂O₃ comme matériaux diélectriques à haute constante diélectrique. Français De plus, le TMA est le précurseur privilégié pour l'épitaxie en phase vapeur organométallique (MOVPE) des semi-conducteurs composés contenant de l'aluminium, tels que l'arséniure d'aluminium (AlAs), le nitrure d'aluminium (AlN), le phosphure d'aluminium (AlP), l'antimoniure d'aluminium (AlSb), l'arséniure d'aluminium et de gallium (AlGaAs), l'arséniure d'aluminium et d'indium et de gallium (AlInGaAs), le phosphure d'aluminium et d'indium et de gallium (AlInGaP), le nitrure d'aluminium et de gallium (AlGaN), le nitrure d'aluminium et d'indium et de gallium (AlInGaN) et le nitrure d'aluminium et d'indium et de gallium et le phosphure d'aluminium et d'indium et de gallium (AlInGaNP). Les critères de qualité du TMA se concentrent sur (a) les impuretés élémentaires, (b) les impuretés oxygénées et (c) les impuretés organiques.

Applications photovoltaïques :

Dans l'industrie photovoltaïque, le TMA est utilisé pour former des couches de passivation d'oxyde d'aluminium (Al₂O₃) par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) ou dépôt de couches atomiques (ALD). Similaire au traitement des semi-conducteurs, le TMA est utilisé pour déposer des couches diélectriques à faible constante diélectrique (non absorbantes) en couches minces contenant de l'Al₂O₃ par des procédés CVD ou ALD. Le TMA haute pureté améliore l'efficacité des cellules solaires en silicium cristallin en créant des couches de passivation d'Al₂O₃ efficaces, améliorant ainsi les performances.

Applications LED :

Dans la fabrication de LED, le TMA haute pureté est utilisé par MOVPE ou CVD pour fabriquer des semi-conducteurs composés contenant de l'aluminium, tels que des couches épitaxiales en nitrure d'aluminium et de gallium (AlGaN) ou des couches de passivation en oxyde d'aluminium (Al₂O₃) et en nitrure d'aluminium (AlN). Cela améliore l'efficacité optique et offre des performances d'éclairage supérieures.