Dépôt de couches minces et précurseurs de matériaux électroniques

Cette série comprend le triméthylaluminium (TMA) et le chlorure d’hexaamminecobalt(III). Il s’agit de composés de coordination ou de précurseurs organométalliques de haute pureté, principalement destinés au dépôt de couches atomiques (ALD), au dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et à d’autres procédés avancés de fabrication de couches minces.

- Triméthylaluminium (TMA) est un précurseur classique à base d’aluminium pour les procédés ALD. Il est largement utilisé pour fabriquer des couches diélectriques à haute permittivité (high-k), des couches d’oxyde de grille et des couches de passivation pour les dispositifs semi-conducteurs. Les principaux critères de sélection comprennent une teneur en impuretés métalliques de l’ordre de quelques ppb, la stabilité de la pression de vapeur et la constance d’un lot à l’autre.

- Chlorure d’hexaamminecobalt(III) sert de précurseur à base de cobalt pour le dépôt de couches minces de cobalt métallique ou pour certains systèmes catalytiques. Ses indicateurs de performance essentiels incluent l’intégrité de la structure de coordination, la solubilité et la température de décomposition thermique.

Nous fournissons des fiches techniques complètes (TDS), des rapports d’analyse des impuretés métalliques basés sur l’ICP-MS ainsi que des fiches de données de sécurité (SDS). Des options d’emballage spécialisées, telles que des cylindres pour bulleur et des conteneurs en acierinoxydable, sont disponibles, accompagnées de l’ensemble des documents nécessaires à la conformité des exportations. Ces éléments aident les clients à raccourcir les cycles de qualification des matériaux et à atténuer les risques liés à la chaîne d’approvisionnement.